型号:

BSH105,215

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSH105,215 PDF
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.05A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 200 毫欧 @ 600mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 570mV @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 152pF @ 16V
功率 - 最大 417mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 TO-236AB
包装 带卷 (TR)
其它名称 568-6215-2
934054715215
BSH105 T/R
BSH105 T/R-ND
BSH105,215-ND
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